Электрические свойства тонких пленок SiO₂:Cuº, нанесенных методом импульсного лазерного испарения

Abstract

В статье представлены результаты исследования электрических свойств плёнок SiO₂:Cuº. Исследована зависимость напряжения от величины солнечного излучения. Установлено, что при росте концентрации ионов меди в тонких плёнках SiO₂:Cuº, электропроводимость снижается за счет роста расстояния между наночастицами меди, которые находятся в диэлектрической матрице SiO₂. Плёнки имеют нелинейную вольт-амперную характеристику, имеющую участки ограничения напряжений на уровне 7...10 В, при этом фотоэлектрические свойства обусловлены генерированием напряжения порядка температурного потенциала с явной зависимостью от солнечного излучения, что позволяет применять эти плёнки как датчики излучения.

The data on the electrical properties of SiO₂:Cuº films are presented. The dependence of voltage on the solar irradiation intensity is presented. It was revealed that at increase in copper ions concentration in the thin films of SiO₂:Cuº their electrical conductivity is decreasing due to the increase of the distance between the nanoparticles of copper distributed in the dielectric matrix of SiO₂. The films have the non-linear VA characteristic with the parts of voltage limits at the range of 7...10 V. At the same time, the photoelectric response was caused by generation of voltage of the order of temperature potential with the evident dependence on the solar irradiation. That means the possibility of the films application as the irradiation sensors.