Расчет полей напряжений у единичного линзовидного двойника, находящегося в поле напряжений полубесконечной трещины антиплоского сдвига в монокристаллическом Ni2MnGa

Abstract

При реализации расчетов макроскопической модели получены графические результаты распределения полей напряжений в системе “полубесконечная трещина антиплоского сдвига – единичный линзовидный двойник” в Ni2MnGa. На их основании определены характеры распре- деления напряжений каждой из рассматриваемых компонент σ xz ( x, y ) и σ yz ( x, y ) , отмечены yz участки концентрации наибольших и наименьших значений напряжений при наличии в Ni2MnGa полубесконечной трещины и линзовидного двойника. Установлено, что отличительной особенностью компоненты σ xz ( x, y ) является наличие значительных напряжений на границах двойника, способных вдвое превысить модульные значения напряжений вершины трещины.

With the implementation of the macroscopic model calculations the authors have received graphical results of the distribution of the stress fields in the system “a semi-infinite crack of antiplane shift – a single lenticular twin” in Ni2MnGa. These results allowed to determine the character of the stress distribution of each component in question ( )yx, xz and ( )yx, yz σ , to mark the areas of maximum and minimum concentration values in the presence of a semi-infinite crack and lenticular twin in Ni2MnGa. It is established that the distinctive feature of the component ( )yx, xz σ is the presence of significant stress on the twin boundaries capable to exceed the modular stress values of the crack tip two times.