Разработка технологических условий формирования наноструктурированных SiO2-матриц, содержащих отдельно локализованные полупроводниковые наночастицы состава "ядро-оболочка". Изучение возможности модификации их поверхности внешним высокоэнергетическим воздействием и формирование на их основе нанослоев для стеклообразных и композитных материалов
№ of methodological guidance: ОНИР2059
UDC: 66.091:546.289
LBC: 35
Issue date
2018Citation
Разработка технологических условий формирования наноструктурированных SiO2-матриц, содержащих отдельно локализованные полупроводниковые наночастицы состава "ядро-оболочка". Изучение возможности модификации их поверхности внешним высокоэнергетическим воздействием и формирование на их основе нанослоев для стеклообразных и композитных материалов : отчет о НИР (закл.) 58-16 / Гомельский государственный технический университет имени П. О. Сухого; рук. А. А. Алексеенко. - Гомель, 2018. - 45 с.