Показать сокращенную информацию
Разработка технологических условий формирования наноструктурированных SiO2-матриц, содержащих отдельно локализованные полупроводниковые наночастицы состава "ядро-оболочка". Изучение возможности модификации их поверхности внешним высокоэнергетическим воздействием и формирование на их основе нанослоев для стеклообразных и композитных материалов
| dc.contributor.author | Алексеенко, А. А. | |
| dc.date.accessioned | 2019-06-25T15:33:02Z | |
| dc.date.available | 2019-06-25T15:33:02Z | |
| dc.date.issued | 2018 | |
| dc.identifier.citation | Разработка технологических условий формирования наноструктурированных SiO2-матриц, содержащих отдельно локализованные полупроводниковые наночастицы состава "ядро-оболочка". Изучение возможности модификации их поверхности внешним высокоэнергетическим воздействием и формирование на их основе нанослоев для стеклообразных и композитных материалов : отчет о НИР (закл.) 58-16 / Гомельский государственный технический университет имени П. О. Сухого; рук. А. А. Алексеенко. - Гомель, 2018. - 45 с. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://elib.gstu.by/handle/220612/20822 | |
| dc.description.abstract | Отчет о НИР (заключительный). Руководитель темы А. А. Алексеенко. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | ГГТУ им. П.О.Сухого | ru_RU |
| dc.title | Разработка технологических условий формирования наноструктурированных SiO2-матриц, содержащих отдельно локализованные полупроводниковые наночастицы состава "ядро-оболочка". Изучение возможности модификации их поверхности внешним высокоэнергетическим воздействием и формирование на их основе нанослоев для стеклообразных и композитных материалов | ru_RU |
| dc.type | Other | ru_RU |
| dc.identifier.udc | 66.091:546.289 | |
| dc.identifier.lbc | 35 | |
| dc.identifier.nmuk | ОНИР2059 |
