Исследование процесса удаления фоторезиста в объеме СВЧ разряда при непрерывном режиме генерации электромагнитной энергии

Abstract

Изучено влияние параметров работы СВЧ генератора и условий формирования СВЧ разряда в непрерывном режиме генерации электромагнитной энергии на скорости удаления фоторезиста с поверхности Si пластин. Установлено закономерное сокращение времени снятия материала с ростом подводимой к разряду мощности, характер зависимостей при одиночной и групповой обработке, наличие оптимального уровня рабочего давления.

This study examined the influence of microwave generator operating parameters and microwave discharge formation conditions in continuous electromagnetic energy generation mode on the rate of photoresist stripping from the surface of Si wafers. A consistent reduction in material removal time with an increase of discharge power, the nature of the stripping rates during single and group processing, and the presence of an optimal level of working pressure were established.