Влияние высоты рабочего объема плазменной камеры на процесс травления кремния

Abstract

Установлена зависимость изменения скорости травления кремниевой пластины от высоты разрядной камеры в плазме комбинированного разряда. Выбрана оптимальная высота камеры исходя из скорости травления и рельефа получаемой поверхности.

The dependence of the silicon wafer etching rate on the discharge chamber height in the combined discharge plasma has been established. The optimal height of the chamber was determined based on the etching rate and the relief of the resulting surface.