Показать сокращенную информацию
Исследование микроструктуры фазового перехода поверхности монокристалла Гейслера
dc.contributor.advisor | Врублевский, И. А. | |
dc.contributor.author | Шматок, Е. В. | |
dc.coverage.spatial | Гомель | ru_RU |
dc.date.accessioned | 2025-06-12T12:53:54Z | |
dc.date.available | 2025-06-12T12:53:54Z | |
dc.date.issued | 2025 | |
dc.identifier.citation | Шматок, Е. В. Исследование микроструктуры фазового перехода поверхности монокристалла Гейслера / Е. В. Шматок ; науч. рук. И. А. Врублевский // II Международный молодёжный научно-культурный форум студентов, магистрантов, аспирантов и молодых ученых : сборник материалов, Гомель, 22-24 января 2025 г. / Гомел. гос. техн. ун-т имени П. О. Сухого [Республика Беларусь], Таизский университет [Республика Йемен], Научная организация исследований и инноваций [Республика Йемен] ; под общ. ред. А. А. Бойко. – Гомель : ГГТУ им. П. О. Сухого, 2025. – C. 202. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://elib.gstu.by/handle/220612/41840 | |
dc.description.abstract | Сплавы Гейслера, обнаруженные в начале двадцатого века, возродились в двадцать первом веке как захватывающие материалы в виде многочисленных функциональных приложений. Перспективным является производство полупроводников, где данный класс материалов может использоваться в роли датчиков и преобразователей. Методами оптической микроскопии в сочетании с обработкой изображения исследуется профиль поверхности (001) монокристаллического Ni2MnGa. Исследование показало, что уровни межфазных границ симметричны, экстремумы профиля локализованы на границах, причём уровень фаз меняется примерно на 15% от иcходного. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | ГГТУ им. П.О. Сухого | ru_RU |
dc.subject | Монокристаллы | ru_RU |
dc.subject | Полупроводники | ru_RU |
dc.subject | Фазовый переход | ru_RU |
dc.subject | Сплавы Гейслера | ru_RU |
dc.title | Исследование микроструктуры фазового перехода поверхности монокристалла Гейслера | ru_RU |
dc.type | Book | ru_RU |