Показать сокращенную информацию

dc.contributor.advisorВрублевский, И. А.
dc.contributor.authorШматок, Е. В.
dc.coverage.spatialГомельru_RU
dc.date.accessioned2025-06-12T12:53:54Z
dc.date.available2025-06-12T12:53:54Z
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationШматок, Е. В. Исследование микроструктуры фазового перехода поверхности монокристалла Гейслера / Е. В. Шматок ; науч. рук. И. А. Врублевский // II Международный молодёжный научно-культурный форум студентов, магистрантов, аспирантов и молодых ученых : сборник материалов, Гомель, 22-24 января 2025 г. / Гомел. гос. техн. ун-т имени П. О. Сухого [Республика Беларусь], Таизский университет [Республика Йемен], Научная организация исследований и инноваций [Республика Йемен] ; под общ. ред. А. А. Бойко. – Гомель : ГГТУ им. П. О. Сухого, 2025. – C. 202.ru_RU
dc.identifier.urihttps://elib.gstu.by/handle/220612/41840
dc.description.abstractСплавы Гейслера, обнаруженные в начале двадцатого века, возродились в двадцать первом веке как захватывающие материалы в виде многочисленных функциональных приложений. Перспективным является производство полупроводников, где данный класс материалов может использоваться в роли датчиков и преобразователей. Методами оптической микроскопии в сочетании с обработкой изображения исследуется профиль поверхности (001) монокристаллического Ni2MnGa. Исследование показало, что уровни межфазных границ симметричны, экстремумы профиля локализованы на границах, причём уровень фаз меняется примерно на 15% от иcходного.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherГГТУ им. П.О. Сухогоru_RU
dc.subjectМонокристаллыru_RU
dc.subjectПолупроводникиru_RU
dc.subjectФазовый переходru_RU
dc.subjectСплавы Гейслераru_RU
dc.titleИсследование микроструктуры фазового перехода поверхности монокристалла Гейслераru_RU
dc.typeBookru_RU


Файлы, содержащиеся в ресурсе

Thumbnail

Располагается в коллекциях:

Показать сокращенную информацию