Показать сокращенную информацию

dc.contributor.advisorГолосов, Д. А.
dc.contributor.authorАлександрович, П. А.
dc.coverage.spatialГомельru_RU
dc.date.accessioned2025-06-12T06:01:14Z
dc.date.available2025-06-12T06:01:14Z
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationАлександрович, П. А. Диэлектрические характеристики пленок оксида гафния-циркония, нанесенных методом реактивного магнетронного распыления / П. А. Александрович ; науч. рук. Д. А. Голосов // II Международный молодёжный научно-культурный форум студентов, магистрантов, аспирантов и молодых ученых : сборник материалов, Гомель, 22-24 января 2025 г. / Гомел. гос. техн. ун-т имени П. О. Сухого [Республика Беларусь], Таизский университет [Республика Йемен], Научная организация исследований и инноваций [Республика Йемен] ; под общ. ред. А. А. Бойко. – Гомель : ГГТУ им. П. О. Сухого, 2025. – C. 185.ru_RU
dc.identifier.urihttps://elib.gstu.by/handle/220612/41823
dc.description.abstractПриводятся значения диэлектрических характеристик пленок состава Hf0,6Zr0,4Oy, нанесенных методом реактивного магнетронного распыления из металлической составной мишени. Установлено, что данным методом возможно получать тонкопленочные слои легированного оксида гафния с тангенсом угла диэлектрических потерь 0,012 – 0,022, с токами утечки от (1,0 – 3,0)×10-3 А/м2 , пробивным напряжением (2,1 – 2,4)×108 В/м, диэлектрической проницаемостью 12,5 – 16 и шириной запрещенной зоны пленок от 5,85 – 5,87 эВ.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherГГТУ им. П.О. Сухогоru_RU
dc.subjectТонкие пленкиru_RU
dc.subjectРеактивное магнетронное распылениеru_RU
dc.subjectОксид гафния-цирконияru_RU
dc.subjectДиэлектрические характеристикиru_RU
dc.titleДиэлектрические характеристики пленок оксида гафния-циркония, нанесенных методом реактивного магнетронного распыленияru_RU
dc.typeArticleru_RU


Файлы, содержащиеся в ресурсе

Thumbnail

Располагается в коллекциях:

Показать сокращенную информацию