Воздействие некондуктивных импульсных помех на корпуса-экраны технических средств микропроцессорных централизаций

Abstract

Рассмотрены структуры микропроцессорных централизаций и проанализированы некондуктивные электромагнитные помехи, которые могут воздействовать на распределенное оборудование централизаций во многих точках. Показано, что в современных условиях необходимо учитывать поражение централизации электромагнитными импульсами преднамеренного воздействия. Исследовано проникновение импульсных некондуктивных помех через апертуры в корпусах-экранах микропроцессорных технических средств. Получены формулы для расчета напряженности электромагнитного поля и напряжения, формируемых в апертуре при внешнем облучении. Обоснована возможность моделирования параметров этого поля путем непосредственного воздействия генератором-имитатором помех на апертуру.

Structures of microprocessor interlocking control are considered and non-conductive electromagnetic interferences, which can exposure to distributed equipment of interlocking control in many points, are analyzed. It is shown, that in modern conditions it is necessary to take in to account destruction of interlock control by electromagnetic impulse of purpose action. The penetration of impulse non-conductive noise through microprocessor hardware components screen-case apertures is researched. Formulas for calculation of voltage and electric intensity of electromagnetic field, shaping in aperture during outside radiation, are obtained. The possibility of this field modeling by direct pulser-simulator exposure on aperture is substantiated.