Показать сокращенную информацию

dc.contributor.advisorУглов, В. В.
dc.contributor.advisorКулешов, А. К.
dc.contributor.authorМихасёв, Р. Н.
dc.coverage.spatialГомельru_RU
dc.date.accessioned2024-10-09T06:58:55Z
dc.date.available2024-10-09T06:58:55Z
dc.date.issued2024
dc.identifier.citationМихасёв, Р. Н. Структурные изменения в гетероэпитаксиальных пленках InSb после воздействия высокоэнергетических ионов Kr / Р. Н. Михасёв ; науч. рук. : В. В. Углов, А. К. Кулешов // Исследования и разработки в области машиностроения, энергетики и управления : материалы XXIV Междунар. науч.-техн. конф. студентов, аспирантов и молодых ученых, Гомель, 25–26 апр. 2024 г. : в 2 ч. Ч. 2 / М-во образования Респ. Беларусь, Гомел. гос. техн. ун-т им. П. О. Сухого ; под общ. ред. А. А. Бойко. – Гомель : ГГТУ им. П. О. Сухого, 2024. – С. 18–21.ru_RU
dc.identifier.urihttps://elib.gstu.by/handle/220612/38324
dc.description.abstractПри облучении ионами криптона с энергией 145 МэВ и флюенсом 1012 и 5 · 1012 см–2 в гетероэпитаксиальных пленках InSb на монокристаллических пластинах GaAs возникают значительные макро- и микронапряжения, достигающие, соответственно, значений 4 и 0,1 ГПа. Отличия температуры осаждения и структурных особенностей исходных гетероэпитаксиальных пленок не влияют на динамику накопления микро- и макронапряжений в пленках под воздействием ионов криптона высокой энергии. Причиной таких возникающих высоких значений макро- и микронапряжений с ростом флюенса облучения криптоном предположительно является формирование объемных трековых дефектов ионов криптона.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherГГТУ им. П.О. Сухогоru_RU
dc.subjectМатериалы микроэлектроникиru_RU
dc.subjectИзменение микроструктурыru_RU
dc.subjectАнтимонид индияru_RU
dc.subjectВоздействия высокоэнергетических ионов криптонаru_RU
dc.titleСтруктурные изменения в гетероэпитаксиальных пленках InSb после воздействия высокоэнергетических ионов Krru_RU
dc.typeArticleru_RU


Файлы, содержащиеся в ресурсе

Thumbnail

Располагается в коллекциях:

Показать сокращенную информацию