dc.contributor.advisor | Углов, В. В. | |
dc.contributor.advisor | Кулешов, А. К. | |
dc.contributor.author | Михасёв, Р. Н. | |
dc.coverage.spatial | Гомель | ru_RU |
dc.date.accessioned | 2024-10-09T06:58:55Z | |
dc.date.available | 2024-10-09T06:58:55Z | |
dc.date.issued | 2024 | |
dc.identifier.citation | Михасёв, Р. Н. Структурные изменения в гетероэпитаксиальных пленках InSb после воздействия высокоэнергетических ионов Kr / Р. Н. Михасёв ; науч. рук. : В. В. Углов, А. К. Кулешов // Исследования и разработки в области машиностроения, энергетики и управления : материалы XXIV Междунар. науч.-техн. конф. студентов, аспирантов и молодых ученых, Гомель, 25–26 апр. 2024 г. : в 2 ч. Ч. 2 / М-во образования Респ. Беларусь, Гомел. гос. техн. ун-т им. П. О. Сухого ; под общ. ред. А. А. Бойко. – Гомель : ГГТУ им. П. О. Сухого, 2024. – С. 18–21. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://elib.gstu.by/handle/220612/38324 | |
dc.description.abstract | При облучении ионами криптона с энергией 145 МэВ и флюенсом 1012 и 5 · 1012 см–2
в гетероэпитаксиальных пленках InSb на монокристаллических пластинах GaAs возникают
значительные макро- и микронапряжения, достигающие, соответственно, значений
4 и 0,1 ГПа. Отличия температуры осаждения и структурных особенностей исходных гетероэпитаксиальных пленок не влияют на динамику накопления микро- и макронапряжений
в пленках под воздействием ионов криптона высокой энергии. Причиной таких возникающих
высоких значений макро- и микронапряжений с ростом флюенса облучения криптоном
предположительно является формирование объемных трековых дефектов ионов криптона. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | ГГТУ им. П.О. Сухого | ru_RU |
dc.subject | Материалы микроэлектроники | ru_RU |
dc.subject | Изменение микроструктуры | ru_RU |
dc.subject | Антимонид индия | ru_RU |
dc.subject | Воздействия высокоэнергетических ионов криптона | ru_RU |
dc.title | Структурные изменения в гетероэпитаксиальных пленках InSb после воздействия высокоэнергетических ионов Kr | ru_RU |
dc.type | Article | ru_RU |