Поиск
Показано записей 21-30 из 33
Вероятностно-статистическая модель формирования ансамблей клиновидных двойников у отпечатка индентора при локальном дозированном деформировании поверхности двойникующегося монокристалла
(ГГТУ им. П.О.Сухого, 2013-06)
На основе принципов теории вероятностей и математической статистики разработана модель двойникования монокристаллов при индентировании их поверхности. Модель может быть использована и при описании формирования и эволюции ...
Мезоскопическая дислокационная модель развивающегося клиновидного двойника
(ГГТУ им. П.О.Сухого, 2010-09)
На основании дислокационной мезоскопической модели получены соотношения для
расчета полей напряжений у развивающегося клиновидного двойника. На основании
данных соотношений рассмотрены варианты эволюции напряженного ...
Закономерности механического двойникования мартенситной фазы монокристалла Ni2MnGa при деформировании его поверхности (100) пирамидой Виккерса
(ГГТУ им. П.О.Сухого, 2013-09)
Методом локального дозированного деформирования поверхности изучены физические закономерности механического двойникования мартенситной фазы магнитного монокристалла Ni2MnGa с эффектом запоминания формы. Установлено, что ...
Расчет распределения нормальных напряжений у деформируемой сосредотеченной нагрузкой поверхности при наличии некогерентного клиновидного остаточного механического двойника
(ГГТУ им. П.О.Сухого, 2014)
Разработан метод расчета полей нормальных напряжений у поверхности упругого полупространства, деформируемой сосредоточенной нагрузкой при наличии клиновидного двойника. Установлено, что классические методы расчета не ...
Механизмы формоизменения клиновидных двойников в локально-деформируемых ионноимплантированных монокристаллах висмута
(ГГТУ им. П.О.Сухого, 2006)
Изучено влияние имплантации ионов бора, азота, углерода, аргона, циркония и тантала энергией 25 кэВ, дозой 10 17 ион/см 2 на закономерности искривления, ветвления и
зарождения вдали от отпечатка индентора клиновидных ...
Использование метода электростатических аналогий для моделирования напряженного состояния в пятне локального термического воздействия
(ГГТУ им. П.О.Сухого, 2006)
Методом электростатических аналогий рассчитаны поля напряжений в пятне локального термического воздействия. Показано, что нормальные напряжения максимальны в центральной части области термического воздействия, а сдвиговые ...
Специфика двойникования монокристаллов висмута при локальном деформировании их поверхности (111) коническим индентором
(ГГТУ им. П.О. Сухого, 2018)
Изучена специфика механического двойникования монокристаллов висмута при локальном деформировании их поверхности (111) в случае высокой (около 2–5 кгс/мм2) нагрузки на конический индентор. Установлено, что в указанных ...
Метод расчета компонент тензора локализованной пластической деформации и тензора плотности дислокаций у границ некогерентного двойника
(ГГТУ им. П.О.Сухого, 2011)
Разработан метод расчета распределения компонент тензора пластической деформации, тензора пластической дисторсии, тензора плотности дислокаций в случае двойникования. Предложен метод задания распределения дислокаций у ...
Определение полей напряжений от действия нормальной и касательной распределенной нагрузки при наличии у поверхности клиновидного двойника
(ГГТУ им. П.О. Сухого, 2021)
Рассмотрено влияние нормальной и касательной распределенной нагрузки на конфигурацию полей напряжений в области клиновидного двойника, находящегося в зоне внешнего воздействия. Показано изменение полей напряжений в зависимости ...