Моделирование распределения Cu° в структуре SiO2 пленки

Abstract

На основании анализа СЭМ-изображения и масс-спектрометрии твердотельных образцов, полученных наноструктурированных SiO2 : Cu пленок, высказано предположение, что при высокой концентрации Cu ° в пленке формируются изолированные наночастицы меди сферической формы. Построена модель распределения атомов меди в структуре высококремнеземистой матрицы, показано, что распределение меди в структуре пленки требует учета концентрации атомов меди в мишени, технологических режимов и среды формирования пленок. Обоснована перспективность таких материалов для датчиков интенсивности солнечного излучения.

Based on the analysis of the SEM-image and mass spectrometry of solid-state samples obtained from nanostructured SiO2 : Cu° films, it is suggested that isolated spherical copper nanoparticles are formed in the film at a high concentration of Cu°. A model of the distribution of copper atoms in the structure of a high-silica matrix is constructed , it is shown that the distribution of copper in the film structure requires taking into account the concentration of copper atoms in the target, technological modes and the medium of film formation. The prospects of such materials for solar radiation intensity sensors are substantiated.