Показать сокращенную информацию
Способ измерения энергии тепловых потерь при испытании мощного полупроводникового светодиода
| dc.contributor.author | Савкова, Т. Н. | |
| dc.contributor.author | Кравченко, А. И. | |
| dc.date.accessioned | 2020-08-17T13:35:59Z | |
| dc.date.available | 2020-08-17T13:35:59Z | |
| dc.date.issued | 2016 | |
| dc.identifier.citation | Способ измерения энергии тепловых потерь при испытании мощного полупроводникового светодиода : патент 20248 Республика Беларусь : МПК H 01L 21/66 (2006.01), G 01R 31/26 (2014.01) / Т. Н. Савкова, А. И. Кравченко ; заявитель и патентообладатель Учреждение образования "Гомельский государственный технический университет имени П. О. Сухого" ; опубл. 2016.08.30. | ru_RU |
| dc.identifier.other | 20248 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.gstu.by/handle/220612/23315 | |
| dc.description.abstract | Изобретение относится к испытаниям мощных полупроводниковых светоизлучающих диодов (СИД) мощностью более трех ватт, а именно к способу определения энергии тепловых потерь, выделяющейся при работе СИД, и может быть использовано для контроля их качества, а также при проектировании осветительных устройств. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.subject | Патент | ru_RU |
| dc.subject | Изобретение | ru_RU |
| dc.subject | Полупроводниковые светоизлучающие диоды | ru_RU |
| dc.title | Способ измерения энергии тепловых потерь при испытании мощного полупроводникового светодиода | ru_RU |
| dc.type | Other | ru_RU |
Файлы, содержащиеся в ресурсе
Располагается в коллекциях:
-
Патенты [241]