Способ измерения энергии тепловых потерь при испытании мощного полупроводникового светодиода

Abstract

Изобретение относится к испытаниям мощных полупроводниковых светоизлучающих диодов (СИД) мощностью более трех ватт, а именно к способу определения энергии тепловых потерь, выделяющейся при работе СИД, и может быть использовано для контроля их качества, а также при проектировании осветительных устройств.