Показать сокращенную информацию

dc.contributor.authorСавкова, Т. Н.
dc.contributor.authorКравченко, А. И.
dc.date.accessioned2020-08-17T13:35:59Z
dc.date.available2020-08-17T13:35:59Z
dc.date.issued2016
dc.identifier.citationСпособ измерения энергии тепловых потерь при испытании мощного полупроводникового светодиода : патент 20248 Республика Беларусь : МПК H 01L 21/66 (2006.01), G 01R 31/26 (2014.01) / Т. Н. Савкова, А. И. Кравченко ; заявитель и патентообладатель Учреждение образования "Гомельский государственный технический университет имени П. О. Сухого" ; опубл. 2016.08.30.ru_RU
dc.identifier.other20248
dc.identifier.urihttps://elib.gstu.by/handle/220612/23315
dc.description.abstractИзобретение относится к испытаниям мощных полупроводниковых светоизлучающих диодов (СИД) мощностью более трех ватт, а именно к способу определения энергии тепловых потерь, выделяющейся при работе СИД, и может быть использовано для контроля их качества, а также при проектировании осветительных устройств.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.subjectПатентru_RU
dc.subjectИзобретениеru_RU
dc.subjectПолупроводниковые светоизлучающие диодыru_RU
dc.titleСпособ измерения энергии тепловых потерь при испытании мощного полупроводникового светодиодаru_RU
dc.typeOtherru_RU


Файлы, содержащиеся в ресурсе

Thumbnail

Располагается в коллекциях:

Показать сокращенную информацию