Показать сокращенную информацию
Влияние электрического поля на фотоэдс в изолированном полупроводнике
dc.contributor.author | Лашкарев, В. Е. | |
dc.coverage.spatial | Москва—Ленинград | ru_RU |
dc.date.accessioned | 2024-12-27T11:40:15Z | |
dc.date.available | 2024-12-27T11:40:15Z | |
dc.date.issued | 1950-02-11 | |
dc.identifier.citation | Лашкарев, В. Е. Влияние электрического поля на фотоэдс в изолированном полупроводнике / В. Е. Лашкарев // Доклады Академии Наук СССР. — 1950. — Т. LXX, № 5. — С. 813—816. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://elib.gstu.by/handle/220612/40239 | |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | Издательство Академии Наук СССР | ru_RU |
dc.subject | Физика | ru_RU |
dc.title | Влияние электрического поля на фотоэдс в изолированном полупроводнике | ru_RU |
dc.type | Article | ru_RU |
Файлы, содержащиеся в ресурсе
Располагается в коллекциях:
-
Оцифрованный фонд [7347]