Разработана дислокационная модель, позволяющая производить расчет напряженного состояния у клиновидного нанодвойника, находящегося у поверхности. Показано, что существенного влияния на нормальные напряжения поверхность не ...

Предложена дислокационная мезоскопическая модель клиновидного двойника, позволяющая рассчитывать деформации у клиновидного двойника, находящегося у поверхности кристалла. На основании данной модели проведен сравнительный ...

Разработана наномасштабная модель динамического нанодвойника. На основании данной модели проведен расчет распределения компонент тензора напряжений у динамического нанодвойника. Установлено, что при отсутствии генерации ...

Впервые предложена дислокационная макроскопическая модель клиновидного двойника, позволяющая учитывать форму его границы и не использовать приближение тонкого двойника. На основании данной модели рассчитаны поля напряжений ...

Предложена удобная для физического анализа классификация полисинтетических двойников, позволяющая проследить их эволюцию в зависимости от условий деформирования кристалла.

Предложена дислокационная модель полисинтетического двойника. На основании данной модели проведен расчет напряженного состояния в системе параллельных двойников. С использованием условия равновесия рассчитана сила ...

Предложена дислокационная модель нанодвойника. На основании данной модели рассчитаны концентрационные профили распределения легирующего компонента как в нанодвойнике, так и в областях к нему прилегающих.