Метод определения потенциала заряжения диэлектриков и нижняя граница вторичной электронной эмиссии от монокристалла NaCI
| dc.contributor.author | Кирвалидзе, И. Д. | |
| dc.coverage.spatial | Москва | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2024-04-02T11:05:35Z | |
| dc.date.available | 2024-04-02T11:05:35Z | |
| dc.date.issued | 1940-03-01 | |
| dc.identifier.citation | Кирвалидзе, И. Д. Метод определения потенциала заряжения диэлектриков и нижняя граница вторичной электронной эмиссии от монокристалла NaCI / И. Д. Кирвалидзе // Доклады Академии Наук СССР. — 1940. — Т. XXVI, № 7. — С. 643—645. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://elib.gstu.by/handle/220612/32634 | |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Издательство Академии Наук СССР | ru_RU |
| dc.subject | Физика | ru_RU |
| dc.title | Метод определения потенциала заряжения диэлектриков и нижняя граница вторичной электронной эмиссии от монокристалла NaCI | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
Files in this item
This item appears in the following Collection(s)
-
Оцифрованный фонд [7480]
