Show simple item record

dc.contributor.authorГайшун, В. Е.
dc.contributor.authorКосенок, Я. А.
dc.contributor.authorВаськевич, В. В.
dc.contributor.authorТюленкова, О. И.
dc.contributor.authorАлешкевич, Н. А.
dc.contributor.authorКовальчук, Н. С.
dc.contributor.authorПетлицкий, А. Н.
dc.coverage.spatialГомельru_RU
dc.date.accessioned2023-06-23T11:06:32Z
dc.date.available2023-06-23T11:06:32Z
dc.date.issued2023
dc.identifier.citationЗоль-гель технология синтеза высокотемпературного соединения «кремний – диэлектрик – кремний» для применения в микроэлектронике / В. Е. Гайшун [и др.] // Вестник Гомельского государственного технического университета имени П. О. Сухого : научно-практический журнал. – 2023. – № 2.— С. 58-66.ru_RU
dc.identifier.urihttps://elib.gstu.by/handle/220612/28268
dc.description.abstractРазработана лабораторная технология формирования высокотемпературного соединения «кремний – диэлектрик – кремний» посредством слоя стеклообразующего материала, полученного золь-гель методом, для микромеханических датчиков, работоспособных в широком диапазоне температур, силовых и тепловых нагрузок. Исследована микроструктура промежуточных золь-гель слоев и неразъемных соединений. Определены толщина и температура кристаллизации стекломатериала.ru_RU
dc.description.abstractThe article shows laboratory technology for the formation of a high-temperature silicon-dielectric-silicon compound by means of a layer of glass-forming material obtained by the sol-gel method for micromechanical sensors that are operable in a wide range of temperatures, power and thermal loads. The microstructure of intermediate sol-gel layers and permanent joints has been studied. The thickness and crystallization temperature of the glass material were determined.
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherГГТУ им. П.О. Сухогоru_RU
dc.subjectЗоль-гель методru_RU
dc.subjectВысокотемпературное соединениеru_RU
dc.subjectКремнийru_RU
dc.subjectСклейкаru_RU
dc.subjectМикроструктураru_RU
dc.subjectБоросиликатная суспензияru_RU
dc.subjectSol-gel methodru_RU
dc.subjectHigh-temperature bondingru_RU
dc.subjectSiliconru_RU
dc.subjectGluingru_RU
dc.subjectMicrostructureru_RU
dc.subjectBorosilicate suspensionru_RU
dc.titleЗоль-гель технология синтеза высокотемпературного соединения «кремний – диэлектрик – кремний» для применения в микроэлектроникеru_RU
dc.title.alternativeSol-Gel High-Temperature Compound Synthesis Technology Silicon – Dielectric – Silicon For use in Microelectronicsru_RU
dc.typeArticleru_RU
dc.identifier.udc661.682:621.3.049.77


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record