Тепловая волна возбуждения горячих центров при взрывной кристаллизации аморфных пленок

Abstract

Дано на качественном уровне теплофизическое описание процесса возбуждения горячих центров кристаллизации в аморфной пленке, напыленной на подложку. Получены аналитические зависимости, определяющие пространственно-временные колебания теплового поля между слабыми и сильными разрывами, бегущими перед фронтом кристаллизации и возбуждающими горячие центры. Вычислено пороговое значение частоты возбуждающих колебаний, разделяющее устойчивый и неустойчивый режимы распространения этих подвижных границ. Обнаружен режим биения температуры вблизи границы устойчивости/неустойчивости. В результате численных расчетов определены амплитудно-частотные свойства процесса возбуждения горячих центров в аморфной пленке германия при различных температурах подложки.

A thermophysical description of the process of exciting hot crystallization centers in an amorphous film sprayed on a substrate is given at a qualitative level. Analytical dependencies are obtained that determine space-time fluctuations of the thermal field between weak and strong breaks running before the crystallization front and exciting hot centers. Threshold value of frequency of excitation oscillations separating stable and unstable modes of propagation of these mobile boundaries is calculated. Temperature runout near stability/instability boundary detected. As a result of numerical calculations, amplitude-frequency properties of the process of excitation of hot centers in the amorphous germanium film at different temperatures of the substrate are determined.