Влияние тонкопленочных покрытий SiO2 : Me на эффективность фотогенерирующих элементов

Abstract

Представлены результаты исследований влияния тонкопленочных покрытий на основе SiO2 : Cux и SiO2 : Nix на КПД фотоэлементов (использовались фотоэлементы Aoshike). Отработаны технологические режимы получения мишеней, содержащих наночастицы ионов переходных металлов, и определены режимы нанесения тонких пленок на подложки методом импульсного лазерного испарения. Результаты исследований вольт-амперных характеристик показали, что покрытия с применением никеля, а также покрытия с минимальной концентрацией меди являются наилучшими. Эффективность фотоэлементов с этими покрытиями практически такая же, как у чистых образцов. Значения Pmax у них даже несколько выше, однако о явном увеличении КПД говорить преждевременно, так как полученные отклонения Pmax находятся в рамках погрешности измерений и разброса параметров покрытий.

The results of studies of the influence of thin film coatings based on SiO2 : Cux and SiO2 : Nix on the efficiency of photocells (Aoshike photocells were used) are presented. Technological modes of obtaining targets containing nanoparticles of transition metal ions were worked out, and modes of applying thin films to substrates were deter mined by pulse laser evaporation. The results of studies of voltage-ampere characteristics showed that coatings using nickel, as well as coatings with a minimum copper concentration, are the best. The efficiency of photocells with these coatings is practically the same as that of pure samples. They have even slightly higher Pmax values, but it is premature to talk about a clear increase in efficiency, since the resulting Pmax deviations are within the measurement error and spread of coating parameters.